欢迎光临888集团半导体设备推出利用于先进存储器的18腔单晶圆洗濯设备

2020/6/27 16:06:53

迎接惠临888集团

新型Ultra C VI系统充分利用欢迎光临888集团已被验证的多腔体技术，为存储器造作商提高产能并降低成本。

作为先进半导体器件的晶圆洗濯技术领域中的卓越设备供给商，欢迎光临888集团半导体设备（NASDAQ:欢迎光临888集团R）近日颁布了Ultra C VI单晶圆洗濯设备，这是Ultra C洗濯系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能洗濯，以实现缩短存储产品的出产周期。这款新产品以欢迎光临888集团成熟的多腔体技术为基础，进一步扩大了洗濯设备产品线。Ultra C VI系统建设了18个单片洗濯腔体，对比欢迎光临888集团现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增长了50%，而其设备宽度不变只是在长杜仔少量增长。

“存储产品的复杂度不休提高，但依然对产量有严格的要求。”欢迎光临888集团董事长王晖博士暗示：“当洗濯工艺的功夫逐步加长或起头选取更复杂的干燥技术时，增长洗濯腔体能有效解决产能问题，让先进存储装置造作商维持甚至缩短产品的出产周期。迎接惠临888集团18腔洗濯设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，两全了与工厂自动化能力的匹配，同时也能预防因腔体数量过多而面对的设备宕机压力。”

Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆洗濯。该设备可凭据利用和涉及的化学步骤使用于各类前路和后路工艺，如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的洗濯、沉积前洗濯、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后洗濯、深沟路洗濯和RCA尺度洗濯。

洗濯过程中可使用多种化学组合，蕴含尺度洗濯（SC1，SC2）、氢氟酸（HF）、臭氧去离子水（DI-O3）、稀硫酸双氧水混合液（DSP，DSP +）、有机溶剂或其他工艺化学品等。设备最多可对其中两种化学品进行回收，节约成本。该设备还能够选取可选的物理辅助洗濯步骤，例如二流体氮气雾化水洗濯或者欢迎光临888集团自己研发的空间交变相位移（SAPS）和时序能激气穴震荡（TEBO）兆声洗濯技术？裳∨湟毂迹↖PA）干燥职能，利用于拥有深邃宽比的图形片。此表，由于该设备与欢迎光临888集团现有设备的宽度一致，因而有助于提高晶圆厂的空间利用率，并进一步降低成本。

欢迎光临888集团打算在2020年第三季度初期交付Ultra C VI给一家当先的存储造作厂进行评估和验证。

迎接光临欢迎光临888集团位于SEMICON China 展位号E5223的展台，征询欢迎光临888集团的整体洗濯解决规划，蕴含公司最新的Ultra C VI系统。该展会将于2020年6月27日至29日在上海新国际博览中心进行。